货到付款B NL/宾利2013新款女士真皮手表瑞士原装机芯简约复古女表正品8022L 浅蓝色LBS
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集成电路 (IC)
逻辑 - 栅极和逆变器
Emerson Network Power
CONV DC-DC 50W 48VIN 12V NEG-EN
非隔离（POL）
电压 - 输入（最小）
电压 - 输入（最大）
Voltage - Output 1
Voltage - Output 2
Voltage - Output 3
电流 - 输出（最大）
电源（瓦） - 制造商系列
电压 - 隔离
9-DIP 模块，1/2 砖
2.40" L x 2.30" W x 0.50" H（61.0mm x 58.4mm x 12.7mm）
-40&C ~ 100&C
电源（瓦特）- 最大
AV60C-048L120F04N
供货商直接发货
: 90可在约
25个工作日内发货
PDF Datasheet
集成电路 (IC)
逻辑 - 栅极和逆变器
TE Connectivity
CONN HSG RCPT FLANGE 22POS PIN
MIL-DTL-38999 系列 III, DTS
连接器类型
公触点插座
外壳尺寸 - 插件
外壳尺寸，MIL
触点类型：
面板安装，法兰
外壳材料，表面处理
铝，镀草绿色镉
抗环境影响
不提供触点
DDTS20W13-35PB-LC
无铅 / 符合
PDF Datasheet
集成电路 (IC)
逻辑 - 栅极和逆变器
Texas Instruments
IC FLIP FLOP D-TYPE SGL 20TSSOP
三态非反相
每个元件的位元数
频率 - 时钟
延迟时间 - 传输
触发器类型
输出电流高，低
24mA，24mA
1.65 V ~ 3.6 V
-40&C ~ 85&C
20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
无铅 / 符合
PDF Datasheet
集成电路 (IC)
逻辑 - 栅极和逆变器
ON Semiconductor
IC INVERTER DUAL TTL HP 6TSOP
逆变器，缓冲器
1.65 V ~ 5.5 V
电流 - 静态（最大值）
输出电流高，低
32mA，32mA
逻辑电平 - 低
逻辑电平 - 高
额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟
3.6ns @ 5V，50pF
-55&C ~ 125&C
供应商设备封装
SC-74，SOT-457
剪切带 (CT)
产品目录页面
1126 (CN2011-ZH PDF)
NL27WZ04DTT1GOSCT
无铅 / 符合
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集成电路 (IC)
逻辑 - 栅极和逆变器
Texas Instruments
IC FLIP FLOP D-TYPE SGL 20SOIC
三态非反相
每个元件的位元数
频率 - 时钟
延迟时间 - 传输
触发器类型
输出电流高，低
24mA，24mA
1.65 V ~ 3.6 V
-40&C ~ 85&C
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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集成电路 (IC)
逻辑 - 栅极和逆变器
Emerson Network Power
CONV DC-DC 75W 48VIN 15V NEG-EN
非隔离（POL）
电压 - 输入（最小）
电压 - 输入（最大）
Voltage - Output 1
Voltage - Output 2
Voltage - Output 3
电流 - 输出（最大）
电源（瓦） - 制造商系列
电压 - 隔离
9-DIP 模块，1/2 砖
2.40" L x 2.30" W x 0.50" H（61.0mm x 58.4mm x 12.7mm）
-40&C ~ 100&C
电源（瓦特）- 最大
AV60C-048L150F05N
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集成电路 (IC)
逻辑 - 栅极和逆变器
Emerson Network Power
CONV DC-DC 75W 48VIN 15V POS-EN
非隔离（POL）
电压 - 输入（最小）
电压 - 输入（最大）
Voltage - Output 1
Voltage - Output 2
Voltage - Output 3
电流 - 输出（最大）
电源（瓦） - 制造商系列
电压 - 隔离
9-DIP 模块，1/2 砖
2.40" L x 2.30" W x 0.50" H（61.0mm x 58.4mm x 12.7mm）
-40&C ~ 100&C
电源（瓦特）- 最大
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CONN HSG RCPT FLANGE 22POS PIN
MIL-DTL-38999 系列 III, DTS
连接器类型
公触点插座
外壳尺寸 - 插件
外壳尺寸，MIL
触点类型：
面板安装，法兰
外壳材料，表面处理
铝，镀草绿色镉
抗环境影响
不提供触点
DDTS20W13-35AB
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逻辑 - 栅极和逆变器
Texas Instruments
IC FLIP FLOP D-TYPE SGL 20SOIC
每个元件的位元数
频率 - 时钟
延迟时间 - 传输
触发器类型
输出电流高，低
5.2mA，5.2mA
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20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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CONV DC-DC 100W 48VIN 15V POS-EN
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2.40" L x 2.30" W x 0.50" H（61.0mm x 58.4mm x 12.7mm）
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Digi-Key Part NumberNTD5867NL-1GOS-ND
Price BreakUnit PriceExtended Price
10.650000.65
250.5016012.54
1000.4369043.69
2500.3802495.06
5000.32360161.80
1,0000.25888258.88
2,5000.23461586.53
5,0000.218431,092.15
10,0000.210342,103.40
Quantity Available
Digi-Key Stock: 5,855Can ship immediately
Manufacturer
Manufacturer Part Number
DescriptionMOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM IPAK
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Image shown is a representation only.
Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
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ON SemiconductorMOSFET P-CH 60V 12A IPAKUnit Price 0.63000
Copyright & , Digi-Key Electronics.All Rights Reserved.701 Brooks Avenue South,Thief River Falls, MN 56701 USANVMFD5852NLWFT1G (ONSEMI [功率MOSFET的40 V ， 6.9毫欧？ 44 A，双N.Channel逻辑电平，双SO.8FL]) PDF技术资料下载
NVMFD5852NLWFT1G 供应信息 IC Datasheet 数据表 (1/6 页)
按型号查询：
NVMFD5852NLWFT1G
功率MOSFET的40 V ， 6.9毫欧？ 44 A，双N.Channel逻辑电平，双SO.8FL
[Power MOSFET 40 V, 6.9 mohm, 44 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL]
&&NVMFD5852NLWFT1GPDF文件：
鼠标右键选目标另存为
不需安装PDF阅读软件
需安装PDF阅读软件
描述：&&功率MOSFET的40 V ， 6.9毫欧？ 44 A，双N.Channel逻辑电平，双SO.8FL[Power MOSFET 40 V, 6.9 mohm, 44 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL]文件大小：&&129 KPDF页数：
&&6 页联系供应商：&& 品牌Logo:
&&&&ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
NVMFD5852NLWFT1G&&
中文翻译版 (新)
NVMFD5852NL,NVMFD5852NLWF功率MOSFET特点40 V ， 6.9毫瓦， 44 A，双N沟道逻辑级，双SO- 8FLV（ BR ） DSS40 VRDS （ ON）最大6.9毫瓦@ 10 V12.0毫瓦@ 4.5 V双N沟道D1价值40&204431PDID27131510.6PDIDMTJ, T英镑ISEAS3.21.6329-55to1754080A°CAmJWA1oooooo小尺寸（ 5×6毫米）的紧凑型设计低RDS （ ON）为最大限度地减少传导损耗低电容，以最大限度地减少驱动器损耗NVMFD5852NLWF-可湿性侧翼产品AEC - Q101标准，并有能力PPAP这是一个Pb - Free设备参数符号VDSSVGSTmb= 25°C稳定状态Tmb= 100°CTmb= 25°CTmb= 100°CTA= 25°C稳定状态TA= 100°CTA= 25°CTA= 100°CTA= 25 ° C，Tp= 10msID单位VVAID最大44 A最大额定值(TJ= 25 ° C除非另有说明）漏极至源极电压栅极 - 源极电压连续漏电流租金?YJ- MB（注1 ，2, 3, 4)功耗RYJ- MB（注1 ，2，3 ）连续漏电流租金?qJA（注1,3& 4 ）功耗RqJA（注1 & 3 ）漏电流脉冲D2G1S1G2S2W标记图D1 D1S1G1S2G25852xxAYWZZD2 D25852NL =具体设备守则对于NVMFD5852NL5852LW =具体设备守则对于NVMFD5852NLWFA=大会地点Y=年W=工作周ZZ=批次追踪D1D1D2D2DFN8 5×6(SO8FL)CASE 506BT工作结温和存储温度源电流（体二极管）单脉冲Drain - to-Source雪崩能源（TJ= 25 ° C，VGS= 10 V，IL（ PK）= 40 A,L = 0.1 mH的，RG= 25W)无铅焊接温度的目的（ 1/8“从案例10秒）TL260°C强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。订购信息设备NVMFD5852NLT1G包航运+DFN81500 /磁带&（无铅）REELDFN81500 /磁带&（无铅）REEL热阻最大额定值（注1 ）参数结到安装板（上）-稳定状态（注2,3）结到环境-稳态（注3 ）符号RYJ- MBRqJA价值5.6° C / W47单位NVMFD5852NLWFT1G1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。3.表面安装在FR4板上用650毫米的2， 2盎司Cu焊盘。4.一种用于脉冲的最大电流，只要1秒更高，但都依赖关于脉冲宽度和占空比。+ 。有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请请参阅我们的磁带和卷轴包装规格宣传册， BRD8011 / D 。(C)半导体元件工业有限责任公司， 2013四月， 2013-启51出版订单号：NVMFD5852NL/D