通常制作半导体的材料有俩种,分别是硅二极管,其中硅PN结压降为 V,还有 ,其PN

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2021-06-21 08:11 标签：

1. 两种不同半导体接触后, 费米能级較高的半导体界面一侧带正

电达到热平衡后两者的费米能级相等

2. 半导体硅的价带极大值位于k空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位於

【100】方向上距布里渊区边界约0.85倍处因此属于间接带隙半导体。

3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷如空位间隙原子；

线缺陷，如位錯；面缺陷如层错和晶粒间界。

4. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为弗仓克耳缺陷；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为肖特基缺陷

5．浅能级杂质可显著改变载流子浓度；深能级杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心

6. 硅在砷化镓中既能取代镓洏表现为施主能级，又能取代

砷而表现为受主能级这种性质称为杂质的双性行为。

7．对于ZnO半导体在真空中进行脱氧处理，可产生氧空位从而可获得 n型 ZnO半导体材料。

8．在一定温度下与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为1/2 ，高于费米能级2kT能级处的占据概率为1/1+exp(2)

9．夲征半导体的电阻率随温度增加而单调下降，杂质半导体的电阻率随温度增加先下降然后上升至最高点，再单调下降

10．n型半导体的费米能级在极低温（0K）时位于导带底和施主能级之间中央处，随温度升高费米能级先上升至一极值，然后下降至本征费米能级

11. 硅的导带極小值位于k空间布里渊区的【100】

我要回帖

 

随机推荐