这个集成电路可以被ESD损坏德州儀器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降唍成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
对于最新的封装和订购信息请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
人体模型( HBM )
带电器件模型( CDM)
在工作自甴空气的温度范围内(除非另有说明)
在工作自由空气的温度范围内V
= 12 V(除非另有说明)
供应高侧FET的栅极驱动电路的输入。连接VBST和SW之间的0.1μF电容
销一个内部二极管连接VREG5和VBST之间。
高侧NFET和低端NFET之间切换节点连接
接地引脚。电源接地回路的开关电路连敏感的SS和VFB返回到GND时
转换器的反馈输入。连接到输出电压的反馈电阻分压器
使能输入控制。 EN为高电平和必须上拉使能器件
软启动控制。一个外部电容应连接到GND
包装的散热片。必须焊接到??达到适当的散热必须连接到
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有关传统和新的热度量的更多信息请参阅
热数据进行了模拟与高K板(根据JEDEC标准) 。
最小电阻负载的起动(V
电感器工作温度的情况下
85°C ;参数测量信息部分电路(除非另有說明) 典型值是在V
= 25 ℃(除非另有说明) 。
省电模式的输出纹波电压
PWM模式输出纹波电压
最大值可以改变整个寿命期内由于固有的电容老囮的影响。有关详细信息请参阅
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过电压保护及锁定: 12V
磁带和卷軸, 2500
注: ( 1 )有关最新规格和包装的信息请访问我们的网站: WWW 。
限额适用于工作自由的温度范围 TA = -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明
的电流检测灌电流比电流
某种意义上设置引脚( RI )源电流, I( REF )C
低电平输出电压( FPO )
噪声尖峰脉冲时间( OVP )
输入失调电压为OCP比较器
低电平输出电压( PGO )
倒故障Ptotection输出漏极开路输出
过电压保护及锁定: 12V ,
磁带和卷轴 2500
注: ( 1 )有关最新规格和包装的信息,请访问我们的网站: WWW
限额适用於工作自由的温度范围, TA = -40 ° C至+ 85°C 除非另有说明。
的电流检测灌电流比电流
某种意义上设置引脚( RI )源电流 I( REF )C
低电平输出电压( FPO )
噪聲尖峰脉冲时间( OVP )
输入失调电压为OCP比较器
低电平输出电压( PGO )
倒故障Ptotection输出。漏极开路输出
图表1 : AC开通和过电压保护
图2:过流和欠压检測/保护。
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地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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