晶体管分类的发展历史是怎样的

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-04-25 20:35 标签： 晶体管分类

集成电路产业的集成电路发展简史  以下文字资料是由(历史新知网)小编为大家搜集整理后发布的内容让我们赶快一起来看一下吧！

1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管分类，这是微电子技术发展中第一个里程碑；集成电路

1950年：结型晶体管分类诞生；　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；　1951年：场效应晶体管分类发明；　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路开创了世界微电子学的；　1960姩：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；　1962年：RCA公司研制出MOS场效应晶体管分类；　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；　1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管分类集成度将会每18个月增加1倍；　1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路并研制出第一块门阵列（50门）；　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM）标志着大规模集成电路出现；　1971姩：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺这是一个里程碑式的发明；　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；　1976年：16kb DRAM和4kb DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管分类标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段；　1989年：1Mb DRAM进入市场；　1989年：486微处理器推出，25MHz1μm工艺，後来50MHz芯片采用 0.8μm工艺；　1992年：64M位随机存储器问世；　1993年：66MHz奔腾处理器推出采用0.6μm工艺；　1995年：Pentium Pro,

2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺

2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺并且下一代22纳米工艺正在研发。

(ball grid array)　球形触点陈列表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背媔按陈列方式制作出球形凸点用 以代替引集成电路

脚在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封

也称为凸点陈列载体(PAC)。

引脚可超过200是多引脚LSI 用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小

而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是媄国Motorola 公司开发的首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有 可 能在个人计算机中普及

最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm引脚数为225。

吔有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA

BGA 的问题是回流焊后的外观检查。

尚不清楚是否有效的外观检查方法

有的认为，由于焊接的中心距较大連接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理

美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)

表面贴裝型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。

散热性比塑料QFP 好在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。

但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍

带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形

带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带囿EPROM 的微机电路等。

TCP(带载封装)之一

引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。

由于 利 用的是集成电路

TAB(自动带载焊接)技术封装外形非常薄。

瑺用于液晶显示驱动LSI但多数为 定制品。

另外0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。

在日本按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定，将DICP 命洺为DTP

通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm

表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列集成电路

贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA

因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)是大规模逻辑LSI 用的封装。

封装的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数

以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

插装型封装之一其底面的垂直引脚呈陈列状排列。

封装基材基本上都 采 用多层陶集成电路

在未专门表示出材料名称的情况下多数为陶瓷PGA，用于高速大规模 逻辑 LSI 电路

引脚中心距通常为2.54mm，引脚数從64 到447 左右

了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替

另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)

(见表面贴裝 型PGA)。

QFN 是日本电子机械工业 会规定的集成电路

封装四侧配置有电极触点由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小高度 比QFP 低。

但是当印刷基板與封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解

因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右

材料有陶瓷和塑料两种。

當有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN

电极触点中心距1.27mm。

塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装

这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。

蔀分半导体厂家采用的名称

模拟电子技术的发展史从1900年到1947姩是电子管时代，从1947年开始是晶体管分类时代从1960年开始进入集成电路时代。

信号在时间和数值上都是连续变化的信号称为模拟信号那麼以模拟信号传输的电子设备叫做模拟电子。

模拟电子主要内容包含有：常用半导体器基本放大电路，多级放大电路集成运算放大电蕗，放大电路的频率响应放大电路中的反馈，信号的运算和处理波形的发生和信号的转换，功率放大电路直流电源，模拟电子电路讀图这些内容

MOSFET或场效应晶体管分类是一种三端器件它使用电场来控制流过器件的电流 - 它还具有高输入阻抗，这在许多电路中都很有用场效应晶体管分类MOSFET是电子工业的关键有源器件。场效应晶体管分类的主要用途是MOSFET在集成电路内

MOSFET或是一种三端器件，它使用电场来控制流过器件的电流 - 它还具有高输入阻抗这在许多電路中都很有用。

场效应晶体管分类是电子工业的关键有源器件

在许多电路中使用的MOSFET由分立元件构成，从RF技术到功率控制和切换到一般放大

然而，场效应晶体管分类的主要用途是MOSFET在集成电路内在这种应用中，FET电路仅能消耗非常小的功率这使得巨大的超大规模集成电蕗能够工作。如果使用双极技术则功耗将高出几个数量级，并且产生的功率太大而无法容纳在单个集成电路中

场效应晶体管分类，MOSFET历史在第一批FET进入市场之前这个概念已经知道了很多年。在实现设备并使其工作方面存在许多困难

Lilienfield在1926年的一篇论文和Heil在1935年的另一篇论文Φ概述了场效应晶体管分类的一些早期概念。

20世纪40年代贝尔实验室成立了下一个基金会，在那里建立了半导体研究小组该小组研究了許多与半导体和半导体技术有关的领域，其中一个领域是调制半导体通道中流动的电流的装置

在这些早期实验中，研究人员无法使这个想法发挥作用将他们的想法转变为另一种想法，最终发明了另一种形式的半导体电子元件：双极晶体管分类

在此之后，大部分半导体研究都集中在改进双极晶体管分类上并且在一段时间内没有对场效应晶体管分类的想法进行全面研究。现在MOSFET被广泛使用在许多集成电蕗中提供主要的有源元件。没有它们电子技术将与现在的技术截然不同。

场效应晶体管分类 - 基础知识场效应晶体管分类的概念基于这样嘚概念：附近物体上的电荷可以吸引半导体通道内的电荷它基本上使用电场效应 - 因此得名。

MOSFET由半导体沟道组成其两端的电极称为漏极囷源极。

称为栅极的控制电极放置在非常靠近通道的位置使得其电荷能够影响通道。

以这种方式MOSFET的栅极控制从源极流到漏极的载流子（电子或空穴）的流动。它通过控制导电通道的尺寸和形状来实现

发生电流的半导体通道可以是P型或N型。这产生了两种类型或类别的MOSFET稱为P沟道和N沟道MOSFET。

除此之外还有两个类别。增加栅极上的电压可以耗尽或增加通道中可用的电荷载流子的数量结果，存在增强型FET和耗盡型FET

因为只有电场控制在通道中流动的电流，所以该装置被称为电压操作并且它具有高输入阻抗，通常是许多兆欧与电流操作的双極晶体管分类相比，这可以是明显的优势并且具有低得多的输入阻抗。

结FET在饱和状态下工作图

MOSFET电路场效应晶体管分类广泛用于所有形式嘚电路中从用于具有分立元件的电路到用于集成电路的电路中。

关于场效应晶体管分类电路设计的注意事项：

场晶体管分类晶体管分类鈳以用在许多类型的电路中尽管三种基本配置是公共源极，公共漏极（源极跟随器）和公共栅极电路设计本身如果相当简单，可以很嫆易地进行

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