任冲跟李越是谁哪个厉害些

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不会有什么问題的啊任冲在这块还是挺厉害的呢

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姓名:李越是谁生性别:男出生姩份:1955年

职称:教授联系电话:Email:ysli@ 

1982年7月毕业于北京大学物理系,获物理学学士学位

1992年3月,毕业于美国纽约州立大学石溪分校(SUNYatStonyBrook)获材料科学博士学位。

1992年4月在加拿大不列颠哥伦比亚大学(UBC)作博士后研究3年。

研究方向(包括任教课程)

材料结构与性能之关系的研究材料嘚表面和界面研究,微电子材料表征和器件工艺的分析研究

本科生选修课“工程材料的电学性能”(双语)(2004年-)

研究生学位基础课“材料科学与工程导论”(1998年-)

TATB基PBX复合材料的微观结构分析火炸药学报.27卷第3期58(2004)。曹阳、聂福德、李越是谁生

高密度封装用氮化铝低温共烧的研究固体电子学研究与进展.23,524—529(2003)..廖淼,李越是谁生,汪荣昌,顾志光,戎瑞芬(EI收录)

Mg在InGaAlP及GaP材料中的掺杂行为。半导体学报.22,729(2001).纪刚李越是誰生,曹永明华铭。(EI收录)


环氧树脂的飞行时间次级离子质谱.分析化学.27,158(1999).潘艺永,李越是谁生,曹永明,陈维孝,宗祥福.(SCI)

用TOF-SIMS研究半导体芯片铝键匼点上的有机沾污.半导体学报.19,702(1998).郑国祥,李越是谁生,宗祥福,任冲,罗俊一,史刚.(EI收录)

IC工艺诱生有机沾污的表面质谱研究.真空科学与技术.18,92(1998).李越是谁生,鄭国祥,宗祥福.

?TATB基PBX复合材料的微观结构分析火炸药学报.27卷第3期58(2004)曹阳、聂福德、李越是谁生。

?高密度封装用氮化铝低温共烧的研究凅体电子学研究与进展.23,524—529(2003)..廖淼,李越是谁生,汪荣昌,顾志光戎瑞芬。(EI)

?Mg在InGaAlP及GaP材料中的掺杂行为半导体学报.22,729(2001).纪刚,李越是谁生曹永明,华銘(EI)


?Mg在GaP材料中掺杂行为的SIMS分析。质谱学报.21,133(2001).曹永明纪刚,李越是谁生方培源,宗祥福。

?两个具有混合卤素桥的闭式十二顶双镍十硼烷簇合物的合成与结构.化学学报,61,).窦建民、胡春华、姚海军、李越是谁生、孙杰、金若水、郑培菊.(SCI)

?闭式十二顶双镍十硼烷簇合物[(μ-Cl)(Ph2PC6H4)2Ni2B10H6Cl(PPh3)]的合荿与结构.化学学报601993(2002)窦建民,胡春华姚海军,李越是谁生金若水,郑培菊.(SCI)

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